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名古屋工業大学 院試 過去問 解答例

名工大 工学研究科 物理工学系 応用物理プログラム 応用物理 2026年度 院試 過去問 解答例・解説(全4問)

全4問。電磁気学・回路1問・量子力学1問。テーマタグは7件(固有値・固有ベクトル・調和振動子・フーリエ変換)。2025年度と共通のテーマは静電場・ハミルトン形式・フーリエ級数。

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解説4問と大問1問の途中式・最終答(全4問)
解答PDFに収録
途中式と最終答(最終答つき4問)
問題本文
非収録

名工大 応用物理 2026年度 院試 過去問の出題内容(全4問)

この4問の分野は電磁気学・回路1問・量子力学1問です。

大問分野主題解説の小見出し最終答
第1問—基礎物理数学線積分の型を区別する / ストークスの定理では向きが点数になるあり
第2問電磁気学・回路電磁気学導体球では電場ではなく電束密度から始める / 電位差の符号あり
第3問—統計物理学2準位系の符号 / 混合エントロピーは内部準位のエントロピーと別に数えるあり
第4問量子力学量子物理学エルミート性の使い方 / 時間発展で変わるものあり

2026年度の出題テーマと、同じテーマを出した他大学・他年度

この年度は4問に7テーマが出ています。

前年度(2025年度)との違い

大問数
2025年度 4問 → 2026年度 4問
両年度に出たテーマ
静電場・ハミルトン形式・フーリエ級数
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第1問 — 基礎物理数学

線積分の型を区別する

∫F⃗ dr\int \vec F\,dr,∫F⃗⋅dr⃗\int \vec F\cdot d\vec r,∫F⃗×dr⃗\int \vec F\times d\vec r は別物である。 最初のものは弧長要素 dr=∣dr⃗∣dr=|d\vec r| を掛けるので答はベクトル,2番目はスカラー,3番目はベクトルになる。 線分のパラメータ表示では drdr と dr⃗d\vec r を取り違えないことが重要である。

ストークスの定理では向きが点数になる

円周を +z+z 側から見て反時計回りに回るとき,対応する面法線は +z+z 方向である。 本問は (∇×G⃗)z=1(\nabla\times\vec G)_z=1 と非常に簡単になるので,直接円周を媒介変数表示するよりもストークスの定理が堅い。

微分方程式の検算

得られた y(t)=at2+bt+b y(t)=\frac{at^2+b}{t+b} について,t=0t=0 を代入すると y(0)=1y(0)=1 である。また (t+b)y=at2+b (t+b)y=at^2+b を微分すれば (t+b)y′+y=2at(t+b)y'+y=2at となり,元の方程式に戻る。

フーリエ変換の半値全幅

半値全幅は「最大値の半分になる2点の間隔」である。e−a∣t∣e^{-a|t|} では時間幅が 1/a1/a 倍になり, フーリエ変換の幅は aa 倍になるため,幅の積が一定になる。このスケーリングを最後に確認すると計算ミスに気づきやすい。

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第2問 — 電磁気学

導体球では電場ではなく電束密度から始める

誘電率が位置に依存する場合でも,自由電荷 QQ に対するガウスの法則 ∮D⃗⋅dS⃗=Q\oint \vec D\cdot d\vec S=Q はそのまま使える。 先に DD を求め,その後で E=D/ε(r)E=D/\varepsilon(r) とするのが最も安全である。

電位差の符号

静電容量は正の量なので,内側導体の電位が外側より高いとして V=∫abE(r) dr V=\int_a^b E(r)\,dr を用いた。電位そのものの定義 V(b)−V(a)=−∫abE⃗⋅dr⃗V(b)-V(a)=-\int_a^b \vec E\cdot d\vec r を使う場合は, 最後に絶対値として導体間の電位差を取る必要がある。

変位電流密度の単位チェック

ε0E\varepsilon_0 E は電束密度と同じ単位であり,時間微分すると電流密度の単位になる。 本問の jx,jyj_x,j_y に ε0\varepsilon_0 が残らないのは,クーロン場の係数 1/ε01/\varepsilon_0 と打ち消し合うためである。

磁場の向き

v⃗\vec v が +x+x 方向,観測点が y>0y>0 側にあるとき, v⃗×R⃗\vec v\times\vec R は +z+z 方向である。したがって BzB_z は q>0,y>0q>0,y>0 で正になる。 符号に迷ったときはこの特殊な配置で右ねじの向きを確認するとよい。

解答

I. 同心球コンデンサー

内側の導体球に電荷 QQ を与えると,対称性より電場は半径方向だけを向く。 真空の場合,半径 rr の球面をガウス面に取ると 4πr2ε0E(r)=Q 4\pi r^2\varepsilon_0 E(r)=Q であるから, E(r)=Q4πε0r2(a<r<b). E(r)=\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r^2}\qquad (a<r<b). 内側導体の電位を外側導体より高く取れば V=∫abE(r) dr=Q4πε0(1a−1b). V=\int_a^b E(r)\,dr =\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0}\left(\frac1a-\frac1b\right). したがって C1=QV=4πε0abb−a. C_1=\frac{Q}{V} =4\pi\varepsilon_0\frac{ab}{b-a}.

誘電体で満たした後も,電束密度について 4πr2D(r)=Q 4\pi r^2D(r)=Q が成り立つ。よって D(r)=Q4πr2. D(r)=\frac{Q}{4\pi r^2}. また,誘電率は ε(r)=ε0εr(r)=ε0b/r\varepsilon(r)=\varepsilon_0\varepsilon_r(r)=\varepsilon_0 b/r であるから, E(r)=D(r)ε(r)=Q4πε0b r. E(r)=\frac{D(r)}{\varepsilon(r)} =\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 b\,r}. 電位差は V=∫abQ4πε0b r dr=Q4πε0bln⁡ba V=\int_a^b \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 b\,r}\,dr =\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 b}\ln\frac ba であり, C2=QV=4πε0bln⁡(b/a). C_2=\frac{Q}{V} =\frac{4\pi\varepsilon_0 b}{\ln(b/a)}. さらに x=b/a>1x=b/a>1 とおくと, C1=4πε0bx−1,C2=4πε0bln⁡x. C_1=4\pi\varepsilon_0\frac{b}{x-1},\qquad C_2=4\pi\varepsilon_0\frac{b}{\ln x}. ln⁡x<x−1\ln x<x-1 より C2>C1. C_2>C_1.

II. 等速運動する点電荷

点電荷の位置を (vt,0,0)(vt,0,0) とし,観測点へのベクトルを R⃗=(x−vt,y,0) \vec R=(x-vt,y,0) とおく。以下では X=x−vt,r=X2+y2 X=x-vt,\qquad r=\sqrt{X^2+y^2} と書く。

(1) 距離は r=(x−vt)2+y2. r=\sqrt{(x-vt)^2+y^2}.

(2) 速度が光速に比べて十分小さいので,電場は各時刻のクーロン場として E⃗=q4πε0R⃗r3 \vec E=\frac{q}{4\pi\varepsilon_0}\frac{\vec R}{r^3} と書ける。したがって Ex=q4πε0Xr3,Ey=q4πε0yr3. E_x=\frac{q}{4\pi\varepsilon_0}\frac{X}{r^3},\qquad E_y=\frac{q}{4\pi\varepsilon_0}\frac{y}{r^3}.

(3) 変位電流密度を j⃗=ε0∂E⃗/∂t\vec j=\varepsilon_0\partial\vec E/\partial t とする。 ∂/∂t=−v ∂/∂X\partial/\partial t=-v\,\partial/\partial X を用いると jx=q4π∂∂t(Xr3)=qv4π2X2−y2r5,jy=q4π∂∂t(yr3)=3qvXy4πr5. \begin{aligned} j_x &=\frac{q}{4\pi}\frac{\partial}{\partial t}\left(\frac{X}{r^3}\right) =\frac{qv}{4\pi}\frac{2X^2-y^2}{r^5},\\ j_y &=\frac{q}{4\pi}\frac{\partial}{\partial t}\left(\frac{y}{r^3}\right) =\frac{3qvXy}{4\pi r^5}. \end{aligned}

(4) 低速近似では,運動する点電荷がつくる磁場は B⃗=μ0q4πv⃗×R⃗r3 \vec B=\frac{\mu_0 q}{4\pi}\frac{\vec v\times\vec R}{r^3} である。ここで v⃗=(v,0,0)\vec v=(v,0,0) だから v⃗×R⃗=(0,0,vy). \vec v\times\vec R=(0,0,vy). したがって Bz=μ0qvy4πr3. B_z=\frac{\mu_0 q v y}{4\pi r^3}.

最終答

Evac(r)=Q4πε0r2,Vvac=Q4πε0(1a−1b),C1=4πε0abb−a,D(r)=Q4πr2,Ediel(r)=Q4πε0br,Vdiel=Q4πε0bln⁡ba,C2=4πε0bln⁡(b/a),C2>C1,r=(x−vt)2+y2,Ex=q(x−vt)4πε0r3,Ey=qy4πε0r3,jx=qv{2(x−vt)2−y2}4πr5,jy=3qv(x−vt)y4πr5,Bz=μ0qvy4πr3. \begin{gathered} E_{\mathrm{vac}}(r)=\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0r^2},\quad V_{\mathrm{vac}}=\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0}\left(\frac1a-\frac1b\right),\quad C_1=4\pi\varepsilon_0\frac{ab}{b-a},\\ D(r)=\frac{Q}{4\pi r^2},\quad E_{\mathrm{diel}}(r)=\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0br},\quad V_{\mathrm{diel}}=\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0b}\ln\frac ba,\quad C_2=\frac{4\pi\varepsilon_0b}{\ln(b/a)},\quad C_2>C_1,\\ r=\sqrt{(x-vt)^2+y^2},\\ E_x=\frac{q(x-vt)}{4\pi\varepsilon_0r^3},\quad E_y=\frac{qy}{4\pi\varepsilon_0r^3},\\ j_x=\frac{qv\{2(x-vt)^2-y^2\}}{4\pi r^5},\quad j_y=\frac{3qv(x-vt)y}{4\pi r^5},\quad B_z=\frac{\mu_0qvy}{4\pi r^3}. \end{gathered}

第3問 — 統計物理学

2準位系の符号

低い準位のエネルギーが −a-a であるため,ボルツマン因子は e+βae^{+\beta a} になる。 e−βae^{-\beta a} と書き始めると,T=0T=0 で低い準位を占有する確率が 00 になってしまう。 極限 p(0)=1p(0)=1 を必ず確認するとよい。

混合エントロピーは内部準位のエントロピーと別に数える

内部準位のエントロピーは各原子が −a,0-a,0 の2状態をとることに由来する。 一方,混合エントロピーは成分1と成分2の原子を格子点へ配置する組合せに由来する。 温度を上げて位置交換が可能になると,後者の自由度が新たに有効になるため,熱容量に追加の寄与が現れる。

フェルミ波数の縮退度

スピン 3/23/2 では1つの k⃗\vec k に4粒子まで入る。 通常のスピン 1/21/2 の式をそのまま使うと kFk_F が大きくなりすぎる。 本問では N=4⋅V(2π)3⋅4πkF33 N=4\cdot \frac{V}{(2\pi)^3}\cdot\frac{4\pi k_F^3}{3} と最初に書くのが安全である。

低温と高温の熱容量

低温で C∝TC\propto T となるのは,フェルミ面近傍だけが熱励起に参加するためである。 高温では量子統計の効果が薄れ,単原子理想気体の等積熱容量に戻る。スピン縮退は状態数を増やすが,外場がなければエネルギー間隔を作らないので,高温熱容量の温度依存指数は 00 である。

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第4問 — 量子物理学

エルミート性の使い方

固有値が実数であることと,異なる固有値に属する固有状態が直交することは,どちらもエルミート性から出る。 答案では「エルミートだから」とだけ書かず,内積を1行書くと根拠が明確になる。

時間発展で変わるもの

固有状態ごとの係数には位相因子 e−iEjt/ℏe^{-iE_jt/\hbar} が付くが,絶対値 ∣cj∣2|c_j|^2 は変わらない。 そのため,時間に依存しないハミルトニアンに対するエネルギー期待値は一定である。

2準位混合と反交差

非対角要素 vv があると,固有値の差は (E1−E2)2+4∣v∣2 \sqrt{(E_1-E_2)^2+4|v|^2} となる。これは元の差 ∣E1−E2∣|E_1-E_2| より小さくならない。 特に E1E_1 と E2E_2 が近いほど,混合による準位反発が目立つ。

調和振動子の典型ミス

p^x=−iℏd/dx\hat p_x=-i\hbar d/dx を a^\hat a に代入すると, imωp^x=ℏmωddx \frac{i}{m\omega}\hat p_x=\frac{\hbar}{m\omega}\frac{d}{dx} となり,微分項の符号は正である。この符号を誤ると基底状態のガウス関数が発散してしまう。

不確定性関係の検算

基底状態では ⟨x⟩=⟨px⟩=0\langle x\rangle=\langle p_x\rangle=0 なので,分散はそのまま2乗の期待値である。 結果 Δx Δpx=ℏ/2 \Delta x\,\Delta p_x=\hbar/2 は最小不確定性状態であることを示しており,計算全体の強い検算になっている。

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