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東京都立大学 院試 過去問 解答例

都立大 理学研究科 物理学専攻 物理 2025年冬季 院試 解答例・解説

東京都立大学 理学研究科 物理学専攻 物理 2025年冬季の院試 過去問について、設問ごとの解法方針・部分点の置き所を解説。全5問収録の解答・解説PDFと併用できます。問題本文は含みません。

最終更新:

設問ごとの解法方針・部分点の置き所を無料で公開しています。

完全な途中式・最終答は解答・解説PDFに収録しています。問題本文は含まれません。

1 — 線形代数・微積分

方針

問1は、固有値を特性方程式から出し、回転行列の列ベクトルがどの固有方向を向くかで θ\theta を決める。問2は ffrr だけの関数であることを使う。問3は指定された半角置換を使えば、積分が du/u\int du/u に落ちる。

途中式の要点

対角化では U1=UTU^{-1}=U^T であることだけでなく、UU の第1列が λ1\lambda_1 の固有ベクトルであることを明示する。ラプラシアンでは f=r/r2\nabla f=\vec r/r^2 まで出してから発散を取ると、各成分の符号を追いやすい。

検算

固有値の和は 5+1=6=trM5+1=6=\operatorname{tr}M、積は 51=5=detM5\cdot1=5=\det M で、特性方程式と一致する。また M(3/2,1/2)T=5(3/2,1/2)TM(\sqrt3/2,1/2)^T=5(\sqrt3/2,1/2)^T なので θ=π/6\theta=\pi/6 は確かに条件を満たす。積分結果は微分すると ddxlogtanx2=1sinx \frac{d}{dx}\log\left|\tan\frac{x}{2}\right| = \frac1{\sin x} となる。

典型ミス

θ=π/6\theta=\pi/6 だけを書いて、反対向きの固有ベクトルに対応する θ=7π/6\theta=7\pi/6 を落としやすい。また logr\log r のラプラシアンは2次元では r0r\ne000 だが、この問題は3次元なので 1/r21/r^2 である。積分では絶対値と積分定数を忘れない。

試験答案で書くべき点

特性多項式、固有方向、θ\theta の範囲確認を順に書く。微分では r>0r>0 の条件を添え、積分では置換後の dxdxsinx\sin x を両方示すと、計算過程の要求に十分応えられる。

完全な解答(途中式・最終答)はPDFに収録

2 — 強制振動

方針

板の運動は外力としてばねの自然長との差に入る。まず静的なずれを避けるため y=xy=x-\ell に移し、非共鳴の強制振動を解いてから wω0w\to\omega_0 の極限を取る。

途中式の要点

最も重要なのは力の符号である。伸びが xXx-X-\ell なので、質点を左向きへ戻す力は k(xX)-k(x-X-\ell) である。非共鳴解では、強制振動の特解だけでなく、初期条件を満たすための固有振動項 (w/ω0)sinω0t- (w/\omega_0)\sin\omega_0t が残る。

検算

A=0A=0 とすると x(t)=x(t)=\ell になり、初期位置で静止し続ける。非共鳴解を t=0t=0 に代入すると x(0)=x(0)=\ell、微分して t=0t=0 を代入すると x˙(0)=0\dot{x}(0)=0 である。共鳴解の支配項は Aω0tcosω0t/2-A\omega_0 t\cos\omega_0t/2 なので、減衰のない共鳴として振幅が時間に比例して増大する。

典型ミス

X(t)X(t) を直接 x(t)x(t) に足すだけにして、ばねの自然長 \ell を力の式から落とすミスが多い。また、共鳴で単に分母を 00 にして「発散」と書くのではなく、極限を取って tcosω0tt\cos\omega_0t の項を導く必要がある。

試験答案で書くべき点

運動方程式、変数 y=xy=x-\ell、非共鳴解の係数決定、共鳴極限の計算を順に示す。概略図では、細かい位相よりも「振動しながら包絡線が線形に広がる」ことが伝わるように描けばよい。

完全な解答(途中式・最終答)はPDFに収録

3 — 電磁気

方針

静電場は E=ϕ \vec E=-\nabla\phi から zz 成分を直接微分する。誘導電荷は境界条件で面密度に直し、円環要素 2πρdρ2\pi\rho\,d\rho で積分する。磁場は同軸対称なのでアンペールの法則だけで決まる。

途中式の要点

鏡像電荷の項を微分するとき、1/R+-1/R_+ の符号と z+hz+h の符号を同時に追う。磁場では、円筒導線内部のアンペール経路が内側の円柱電流も囲んでいる点が重要である。

検算

誘導電荷の総量が q-q になるのは、接地無限導体に対する鏡像電荷法の結果と一致する。磁場の式は r=0r=0 で有限かつ B=0B=0 になり、円柱表面 r=ar=aμ0I/(2πa)\mu_0I/(2\pi a) となる。円筒内部では 21a24r2=021a^2-4r^2=0 で向きが反転するため、大きさには絶対値が必要である。

典型ミス

表面上の rr を3次元距離のまま扱うと、面積要素を誤る。ここでは表面内の半径を ρ\rho として積分するのが安全である。また、円筒導線の断面積を π(3a)2\pi(3a)^2 としてしまうと電流密度が誤る。

試験答案で書くべき点

静電場では Ez=ϕ/zE_z=-\partial\phi/\partial z、表面での符号、面密度から総電荷への積分を省略せずに書く。磁場では、領域ごとの包絡電流 IencI_{\mathrm{enc}} を明示すれば、アンペールの法則の適用が読み手に伝わる。

完全な解答(途中式・最終答)はPDFに収録

4 — 量子干渉

方針

電子を波として扱い、二つのスリットからの波動関数を足し合わせる。観測される強度に相当する量は振幅ではなく ψ2|\psi|^2 なので、干渉項 cosk(r1r2)\cos k(r_1-r_2) を取り出すのが中心である。

途中式の要点

距離の近似では、平方根を L2+δ2=L1+δ2/L2L+δ22L \sqrt{L^2+\delta^2} = L\sqrt{1+\delta^2/L^2} \simeq L+\frac{\delta^2}{2L} まで展開する。r1r2r_1-r_2 では y2y^2a2/4a^2/4 が消え、一次の ayay だけが残る。

検算

y=0y=0 では r1=r2r_1=r_2 なので中央は明線になる。近似式でも r1r20r_1-r_2\simeq0 である。また k=2π/λk=2\pi/\lambda と書けば明線間隔は λL/a\lambda L/a となり、通常の二重スリットの式と一致する。

典型ミス

振幅を足さずに確率を先に足してしまうと、干渉項が消えて縞が出ない。もう一つのミスは、位相差を k(r1+r2)k(r_1+r_2) とすることである。干渉を決めるのは二経路の差 r1r2r_1-r_2 である。

試験答案で書くべき点

現象名、位相差、波動関数の重ね合わせ、二乗による確率、距離差の近似、明線条件をこの順に書く。スリットの上下の取り方で r1r2r_1-r_2 の符号が逆になっても、明線間隔は同じであることを理解しておく。

完全な解答(途中式・最終答)はPDFに収録

5 — 二準位系

方針

この問題は、組合せ数からエントロピーを作り、エネルギー変数に変換して温度の定義を使う流れで解く。二準位の縮退は与えられていないので、配置数は単純な二項係数になる。

途中式の要点

スターリング近似では、N+N1+N2=0-N+N_1+N_2=0 が消えること、さらに logN\log N の項も n1+(1n1)=1n_1+(1-n_1)=1 により消えることを示すとよい。問5では U=NϵΔU=N\epsilon\Delta なので、/U\partial/\partial U/ϵ\partial/\partial\epsilon に直す係数 1/(NΔ)1/(N\Delta) を落とさない。

検算

正の温度では Δ/(kBT)>0\Delta/(k_BT)>0 なので ϵ<0\epsilon<0 となる。低いエネルギー Δ-\Delta の状態が多く占有されるという物理的直観と一致する。高温極限 TT\to\infty では ϵ0\epsilon\to0 となり、二つの状態がほぼ等確率になる。

典型ミス

状態1のエネルギーが +Δ+\Delta、状態2が Δ-\Delta であるため、ϵ=2n11\epsilon=2n_1-1 の符号を逆にしやすい。ここを逆にすると最後の tanh\tanh の符号も逆になる。また、S=kBWS=k_B W ではなく S=kBlogWS=k_B\log W である。

試験答案で書くべき点

配置数 WW、スターリング近似後の整理、ϵ\epsilonn1n_1 の対応、温度定義による微分を順に書く。最後の式だけでなく、log{(1+ϵ)/(1ϵ)}\log\{(1+\epsilon)/(1-\epsilon)\} が出る途中式を残すと符号の根拠が明確になる。

完全な解答(途中式・最終答)はPDFに収録

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