電気通信大学 院試 過去問 解答例
電通大 情報理工学研究科 基盤理工学専攻 専門科目(電気電子・光デバイス系) 2025年度 院試 過去問 解答例・解説(全5問)
全5問。電磁気学・回路2問・熱・統計力学1問。テーマタグは8件(固有値・固有ベクトル・伝達関数・静電場)。2024年度と共通のテーマは静電場・オペアンプ回路。
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- 解説5問と大問1問の途中式・最終答(全5問)
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- 途中式と最終答(最終答つき5問)
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電通大 専門科目(電気電子・光デバイス系) 2025年度 院試 過去問の出題内容(全5問)
この5問の分野は電磁気学・回路2問・熱・統計力学1問です。
| 大問 | 分野 | 主題 | 解説の小見出し | 最終答 |
|---|---|---|---|---|
| 第1問 | 電磁気学・回路 | 電気・電子回路 | — | あり |
| 第2問 | — | 選択問題:光波動工学 | — | あり |
| 第3問 | 熱・統計力学 | 量子力学/統計力学 | — | あり |
| 第4問 | 電磁気学・回路 | 電磁気学 | — | あり |
| 第5問 | 光・電子デバイス基礎 | — | あり |
この年度の解説には検算5件・試験で書くべきポイント5件・典型ミス5件が付いています。
2025年度の出題テーマと、同じテーマを出した他大学・他年度
この年度は4問に8テーマが出ています。
前年度(2024年度)との違い
- 大問数
- 2024年度 5問 → 2025年度 5問
第1問 — 選択問題:電気・電子回路
検算
能動 RC 回路では で普通の反転増幅器, で利得が に比例して下がる。これが低域通過フィルタの形になっているかを必ず見る。 テブナン等価では となり,ノートン電流と一致する。 過渡現象では ,,また二つの同容量コンデンサの最終電荷が ずつになることが確認になる。
典型ミス
反転増幅器のマイナス符号を落とすと位相の議論が崩れる。 電流源を殺すときに短絡してしまう誤りも多い。独立電流源は開放,独立電圧源は短絡である。 の角周波数を とだけ書くと,減衰を含む設問では不足である。
試験で書くべきポイント
答案では,まず を書き,どの枝が並列・直列かを式で示す。 等価回路は端子開放時の節点電位,独立源を殺した抵抗,負荷接続後の電流の順に並べると採点者が追いやすい。
解答
方針
理想オペアンプでは反転入力端子が仮想接地になり,入力電流は帰還インピーダンスだけを流れる。 したがって反転増幅回路の伝達関数は である。テブナン・ノートン等価では,端子開放電圧と独立源を殺したときの等価抵抗を順に求める。
(1) 能動 RC 回路
帰還部のうち, と は並列なので のとき よって折れ点角周波数は では であり,反転増幅器として働く。 では したがって高周波成分を減衰させる一次の能動低域通過フィルタであり,高周波側では近似的に積分器になる。
とすると では並列枝はほぼ短絡なので となり,
(2) 等価回路
抵抗 を外す。電圧源の上側を基準より 高い節点とおくと,端子 の電位は 端子 では, 抵抗を通る電流と の電流源を考えて よって 独立電圧源を短絡,独立電流源を開放すると, は基準点に短絡され, から見える抵抗は したがってノートン等価は をつないだとき 向きは から へ流れる向きである。
電流源を にした場合を重ね合わせで確かめる。電圧源を短絡したとき, 節点について より である。したがって 電流源を開放したとき, は と の分圧点なので ゆえに
(3) 過渡現象
時刻 で が直流源 と を通して接続される充電過程では したがって
十分時間が経って となった後,無電荷の同容量コンデンサ と抵抗を介して接続すると,全電荷は保存される。 差電圧だけが時定数 で減衰するので
次に, から 回路に切り替える。電流向きの取り方によらず,電荷は を満たす。 では減衰振動となり,
最終答
主要結果は ,,電流源を にしたとき , の振動角周波数 である。
第2問 — 選択問題:光波動工学
検算
偏光子が と なら互いに直交するので,間に光学素子がなければ透過光は消える。 反射防止膜の結果はよく知られた四分の一波長膜の条件であり, が空気とガラスの幾何平均になることも妥当である。
典型ミス
ジョーンズベクトルでは全体位相は観測されない。全体位相の違いを別解として誤り扱いしない一方,相対位相の符号は透過軸方向を決めるので落とさない。 薄膜干渉では光路を一往復した位相 と,片道位相 を混同しやすい。
試験で書くべきポイント
スネルの法則は公式を置くだけでなく「境界面上で位相が連続するため接線成分が保存される」と一文を添える。 薄膜では,直接反射項と一回以上膜内を往復した項を明示してから等比級数にするのが最も採点されやすい。
第3問 — 選択問題:量子力学/統計力学
検算
は を一つ上げ, は一つ下げる演算子である。したがって の符号がプラスになっているかが最初の検算になる。 また と の の符号が逆になることも確認する。
典型ミス
は可換ではないので, としてはいけない。 ノルムの式で を使う点を書かないと,非負性から端点を導く論理が弱くなる。
試験で書くべきポイント
交換子を一つだけ丁寧に計算し,残りは巡回対称性で示すとよい。 端点条件では「ノルムが負になれないため無限に昇降できない」と説明してから , を置く。
第4問 — 選択問題:電磁気学
検算
球殻の電場は で 0 になり, で外側の式と電束密度の法線成分がつながる。 円形コイルの式は で になり,標準公式と一致する。
典型ミス
誘電体中では ,真空中では を使い分ける。全領域を で処理すると球殻内部の答えが違う。 ソレノイド端の磁場を中心と同じにしてしまう誤りも多い。十分長い有限ソレノイドの端では中心の半分である。
試験で書くべきポイント
球対称問題では,最初にガウス面が球面であることを書き,包む電荷量を領域別に明示する。 誘導起電力では符号よりも最大値を問われているので,面積 と時間微分で が掛かる点を落とさない。
第5問 — 選択問題:光・電子デバイス基礎
検算
が成り立つかを確認すると,指数の符号ミスを発見できる。 拡散長 は単位が長さになる。 は , は である。 プロットは空乏層幅が電位差の平方根に比例するため直線になる。
典型ミス
p 型で電子を多数キャリアとして扱うと,電流式と再結合式の解釈が逆になる。 光照射後の密度を だけと書き,熱平衡密度 を落とすのもよくある。 ショットキー障壁高 と内蔵電位 は別物である。
試験で書くべきポイント
半導体の答案では,どの量が多数キャリアか,どの近似を置いたかを最初に書く。 ショットキー接合では,障壁高,内蔵電位,空乏層幅,容量プロットの順でつなぐと,式の意味が明確になる。
電通大 専門科目(電気電子・光デバイス系) 院試 過去問の収録5年度
選択問題:電気・電子回路 / 選択問題:光波動工学 / 選択問題:量子力学/統計力学
2025年度(このページ・全5問)
選択問題:電気・電子回路 / 選択問題:光波動工学 / 選択問題:量子力学/統計力学
選択問題:電気・電子回路 / 選択問題:光波動工学 / 選択問題:量子力学/統計力学
選択問題:電気・電子回路 / 選択問題:光波動工学 / 選択問題:量子力学/統計力学
選択問題:電気・電子回路 / 選択問題:光波動工学 / 選択問題:量子力学/統計力学