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九州大学 院試 過去問 解答例

九大 システム情報科学府 電気電子工学専攻 専門科目 2022年度 院試 解答例・解説

九州大学 システム情報科学府 電気電子工学専攻 専門科目 2022年度の院試 過去問について、設問ごとの解法方針・部分点の置き所を解説。全5問収録の解答・解説PDFと併用できます。問題本文は含みません。

最終更新:

設問ごとの解法方針・部分点の置き所を無料で公開しています。

完全な途中式・最終答は解答・解説PDFに収録しています。問題本文は含まれません。

1 — 電気回路

方針

この分野は、数値代入よりも「どの等価変換を使うか」を採点されやすい。フェーザ回路は インピーダンス、アドミタンス、テブナン等価の三つへ整理すると見通しがよい。

典型ミス

相互インダクタンスでは同名端子を見落として MM の符号を誤るミスが多い。最大電力条件では 「インピーダンスで共役」なのか「アドミタンスで共役」なのかを混同しやすい。アドミタンス負荷で 最適化するなら YL=YthY_L=Y_\mathrm{th}^{*} と書く。

検算

問1は E/I1=3+jE/I_1=\sqrt3+j なので、大きさは 22、偏角は π/6\pi/6 で条件に一致する。 過渡応答では t=0+t=0+tt\to\infty の極限を必ず確認する。

完全な解答(途中式・最終答)はPDFに収録

2 — 電子回路

方針

理想演算増幅器の問題は、まず v+=vv_+=v_- と入力電流ゼロを置く。回路図を見てすぐ公式を 暗記で出すより、非反転入力電位を一度 vpv_p とおいてKCLを立てる方が符号を落としにくい。

試験で書くべき点

差動増幅回路では VdV_d の定義が V1V2V_1-V_2 なのか V2V1V_2-V_1 なのかを明記する。 本解答の符号は Vd=V1V2V_d=V_1-V_2 に基づく。ボード線図は、低周波利得、折点角周波数、傾き、 位相の極限を押さえれば十分に答案になる。

典型ミス

Wien発振器で Gb(jω0)=1/3G_b(j\omega_0)=1/3 を忘れて Ga=1G_a=1 とする誤りが多い。 発振条件は「一巡利得が1」であり、増幅器単体の利得が1という意味ではない。

完全な解答(途中式・最終答)はPDFに収録

3 — 制御工学

方針

制御の設問は、図を読む問題と証明問題が混在する。ボード線図は「折点と傾き」、 双対性は「伝達関数の転置」、倒立振子は「特性方程式」のように、使う道具をすぐ切り替える。

検算

k=1/2k=1/2 では特性多項式が s(s+1/2)s(s+1/2) になり原点極を持つので安定限界である。 この境界がナイキスト線図の 1-1 点通過に対応する。

典型ミス

ナイキストの安定判別では、開ループ右半平面極の個数を数え忘れると包囲方向を誤る。 倒立振子はもともと不安定極を持つので、単に 1-1 を囲まなければよい、という通常の安定開ループ系の感覚で処理しない。

完全な解答(途中式・最終答)はPDFに収録

4 — 電磁気学

方針

前半は二次元の電流拡がり抵抗であり、面内の円筒対称性を使う。後半は、回転する表面電荷を 表面電流と見て長いソレノイドへ対応させるのが最短である。

検算

抵抗は ρ/t\rho/t に無次元の対数が掛かっており、単位は Ω\Omega で正しい。 磁気エネルギーは ω2\omega^2 に比例するので、回転方向を逆にしても同じ値になる。

典型ミス

円盤電極の抵抗で断面積を 2πr2\pi r として厚さ tt を落とすミスが多い。 ポインティングベクトルは大きさだけでなく向きを書くと、エネルギー保存の説明として強い答案になる。

完全な解答(途中式・最終答)はPDFに収録

5 — 半導体デバイス

方針

半導体デバイスでは、ドリフト、拡散、熱平衡、接合の少数キャリア注入を分けて考える。 式を丸暗記するより、電流密度 Jn=qμnnE+qDndn/dxJ_n=q\mu_n nE+qD_n dn/dx と Einstein関係から導く方が符号を確認しやすい。

検算

E=(kT/q)bE=(kT/q)bkT/qkT/q が電圧、bb1/length1/\mathrm{length} なので電界の単位になる。 注入効率では、NEN_E を大きくすると Dp/(NExE)D_p/(N_Ex_E) が小さくなり γ\gamma は1へ近づく。

典型ミス

npnの通常能動状態で、コレクタ接合を順方向に描くと全体のバンド図が破綻する。 また、注入効率の分子は「エミッタからベースへ注入される電子電流」であり、正孔電流と取り違えない。

完全な解答(途中式・最終答)はPDFに収録

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