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九州大学 院試 過去問 解答例

九大 システム情報科学府 電気電子工学専攻 専門科目 2022年度 院試 過去問 解答例・解説(全5問)

全5問。電磁気学・回路3問・制御工学1問・物性物理1問。テーマタグは5件(伝達関数・RC回路の過渡応答・ボード線図)。

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収録5年度分の解答PDF:九州大学 システム情報科学府 電気電子工学専攻 専門科目(¥2,880・紙面見本あり)

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解説5問と大問1問の途中式・最終答(全5問)
解答PDFに収録
途中式と最終答(最終答つき5問)
問題本文
非収録

九大 専門科目 2022年度 院試 過去問の出題内容(全5問)

この5問の分野は電磁気学・回路3問・制御工学1問・物性物理1問です。

大問分野主題解説の小見出し最終答
第1問電磁気学・回路電気回路—あり
第2問電磁気学・回路電子回路試験で書くべき点あり
第3問制御工学——あり
第4問電磁気学・回路電磁気学—あり
第5問物性物理半導体デバイス—あり

この年度の解説には典型ミス5件・検算4件が付いています。

2022年度の出題テーマと、同じテーマを出した他大学・他年度

この年度は4問に5テーマが出ています。

第1問 — 電気回路

方針

この分野は、数値代入よりも「どの等価変換を使うか」を採点されやすい。フェーザ回路は インピーダンス、アドミタンス、テブナン等価の三つへ整理すると見通しがよい。

典型ミス

相互インダクタンスでは同名端子を見落として MM の符号を誤るミスが多い。最大電力条件では 「インピーダンスで共役」なのか「アドミタンスで共役」なのかを混同しやすい。アドミタンス負荷で 最適化するなら YL=Yth∗Y_L=Y_\mathrm{th}^{*} と書く。

検算

問1は E/I1=3+jE/I_1=\sqrt3+j なので、大きさは 22、偏角は π/6\pi/6 で条件に一致する。 過渡応答では t=0+t=0+ と t→∞t\to\infty の極限を必ず確認する。

解答

以下では、フェーザ表示を用い、角周波数依存性はインピーダンス ZR=R,ZL=jX,ZC=−jXC Z_R=R,\qquad Z_L=jX,\qquad Z_C=-jX_C に含めて書く。電圧・電流の向きは公式問題の図で指定された向きに合わせ、途中の符号は最後に位相で検算する。

問1

上下2枝のブリッジ形回路は、左右端子間に電圧 EE が加わり、上側枝と下側枝に Zu=R1+jX1,Zl=R2+jX2 Z_\mathrm{u}=R_1+jX_1,\qquad Z_\mathrm{l}=R_2+jX_2 が入っていると見るとよい。上側枝電流を I1I_1 とすれば EI1=Zu=R1+jX1. \frac{E}{I_1}=Z_\mathrm{u}=R_1+jX_1. したがって、条件 arg⁡(E/I1)=π/6\arg(E/I_1)=\pi/6、∣E/I1∣=2|E/I_1|=2 から R1=2cos⁡π6=3,X1=2sin⁡π6=1. R_1=2\cos\frac{\pi}{6}=\sqrt3,\qquad X_1=2\sin\frac{\pi}{6}=1. 中点間電圧 VV は、各枝の分圧差として VE=jX1R1+jX1−R2R2+jX2 \frac{V}{E} = \frac{jX_1}{R_1+jX_1} - \frac{R_2}{R_2+jX_2} で与えられる。∣V/E∣=1|V/E|=1 の場合は、この複素数を AA とおけば arg⁡VE=arg⁡A \arg\frac{V}{E}=\arg A である。実際の答案では、図に与えられた R2,X2R_2,X_2 をここへ代入し、実部・虚部に分けて arg⁡A=tan⁡−1Im⁡ARe⁡A \arg A=\tan^{-1}\frac{\operatorname{Im}A}{\operatorname{Re}A} を求める。

問2

端子対から左側を見たアドミタンスは、独立電流源を内部インピーダンスとして開放し、端子に試験電圧 VtV_t を加えて試験電流 ItI_t を計算するのが最も安全である。節点電位法を用い、中間節点電位を va,vbv_a,v_b とおくと、各節点で ∑kYak(va−vk)=0,∑kYbk(vb−vk)=0 \sum_k Y_{ak}(v_a-v_k)=0,\qquad \sum_k Y_{bk}(v_b-v_k)=0 が成り立つ。これを解き、端子電流を It=∑kYtk(Vt−vk) I_t=\sum_k Y_{tk}(V_t-v_k) と表せば Y1=ItVt Y_1=\frac{I_t}{V_t} である。

可変アドミタンス Y2=G+jBY_2=G+jB に消費される平均電力は、端子側から見たテブナン等価を VthV_\mathrm{th}、Yth=Gth+jBthY_\mathrm{th}=G_\mathrm{th}+jB_\mathrm{th} として P(G,B)=∣Vth∣2G∣1+Zth(G+jB)∣2 P(G,B)= \frac{|V_\mathrm{th}|^2G} {|1+Z_\mathrm{th}(G+jB)|^2} と書ける。最大電力条件は負荷アドミタンスが内部アドミタンスの共役に一致することなので G=Gth,B=−Bth,Pmax⁡=∣Vth∣24Rth. G=G_\mathrm{th},\qquad B=-B_\mathrm{th}, \qquad P_{\max}=\frac{|V_\mathrm{th}|^2}{4R_\mathrm{th}}.

問3

相互インダクタンス MM を持つ2巻線は、同名端子の取り方に注意してT形等価回路へ直す。電流が同名端子へ流れ込む向きなら、等価インピーダンスは Z1=jω(L1−M),Z2=jωM,Z3=jω(L2−M) Z_1=j\omega(L_1-M),\qquad Z_2=j\omega M,\qquad Z_3=j\omega(L_2-M) である。符号が反対の場合は MM の符号を反転させる。

右側に負荷 Z0Z_0 が接続されているとき、端子 11--1′1' から見た入力インピーダンスは Zin=Z1+Z2 (Z3+Z0)Z2+Z3+Z0. Z_\mathrm{in} = Z_1+ \frac{Z_2\,(Z_3+Z_0)}{Z_2+Z_3+Z_0}. この式は、T形等価回路の直列枝 Z1Z_1 と、その先の並列合成を足しただけである。

問4

スイッチ切替え問題では、切替え直前直後で連続な量を最初に確定する。キャパシタ電圧は vC(0+)=vC(0−) v_C(0+)=v_C(0-) であり、インダクタ電流は iL(0+)=iL(0−) i_L(0+)=i_L(0-) である。切替え後の回路を、対象変数 x(t)x(t) に対する一次または二次の線形微分方程式へ落とす。

一次回路なら x(t)=x(∞)+{x(0+)−x(∞)}e−t/τ, x(t)=x(\infty)+\{x(0+)-x(\infty)\}e^{-t/\tau}, 二次回路なら特性根 s1,s2s_1,s_2 を用いて x(t)=x(∞)+C1es1t+C2es2t x(t)=x(\infty)+C_1e^{s_1t}+C_2e^{s_2t} である。係数 C1,C2C_1,C_2 は x(0+)x(0+) と x˙(0+)\dot x(0+) から決める。

最終答

R1=3, X1=1R_1=\sqrt3,\ X_1=1。相互インダクタンスを含む2巻線は Z1=jω(L1−M),Z2=jωM,Z3=jω(L2−M)Z_1=j\omega(L_1-M), Z_2=j\omega M, Z_3=j\omega(L_2-M) のT形等価回路に直し、負荷接続時の入力インピーダンスは Zin=Z1+Z2(Z3+Z0)/(Z2+Z3+Z0)Z_\mathrm{in}=Z_1+Z_2(Z_3+Z_0)/(Z_2+Z_3+Z_0)。 最大電力条件は Y2=Yth∗Y_2=Y_\mathrm{th}^{*}。

第2問 — 電子回路

方針

理想演算増幅器の問題は、まず v+=v−v_+=v_- と入力電流ゼロを置く。回路図を見てすぐ公式を 暗記で出すより、非反転入力電位を一度 vpv_p とおいてKCLを立てる方が符号を落としにくい。

試験で書くべき点

差動増幅回路では VdV_d の定義が V1−V2V_1-V_2 なのか V2−V1V_2-V_1 なのかを明記する。 本解答の符号は Vd=V1−V2V_d=V_1-V_2 に基づく。ボード線図は、低周波利得、折点角周波数、傾き、 位相の極限を押さえれば十分に答案になる。

典型ミス

Wien発振器で Gb(jω0)=1/3G_b(j\omega_0)=1/3 を忘れて Ga=1G_a=1 とする誤りが多い。 発振条件は「一巡利得が1」であり、増幅器単体の利得が1という意味ではない。

電子回路の途中式・最終答をPDFで見る

第3問 — 制御工学

方針

制御の設問は、図を読む問題と証明問題が混在する。ボード線図は「折点と傾き」、 双対性は「伝達関数の転置」、倒立振子は「特性方程式」のように、使う道具をすぐ切り替える。

検算

k=1/2k=1/2 では特性多項式が s(s+1/2)s(s+1/2) になり原点極を持つので安定限界である。 この境界がナイキスト線図の −1-1 点通過に対応する。

典型ミス

ナイキストの安定判別では、開ループ右半平面極の個数を数え忘れると包囲方向を誤る。 倒立振子はもともと不安定極を持つので、単に −1-1 を囲まなければよい、という通常の安定開ループ系の感覚で処理しない。

制御工学の途中式・最終答をPDFで見る

第4問 — 電磁気学

方針

前半は二次元の電流拡がり抵抗であり、面内の円筒対称性を使う。後半は、回転する表面電荷を 表面電流と見て長いソレノイドへ対応させるのが最短である。

検算

抵抗は ρ/t\rho/t に無次元の対数が掛かっており、単位は Ω\Omega で正しい。 磁気エネルギーは ω2\omega^2 に比例するので、回転方向を逆にしても同じ値になる。

典型ミス

円盤電極の抵抗で断面積を 2πr2\pi r として厚さ tt を落とすミスが多い。 ポインティングベクトルは大きさだけでなく向きを書くと、エネルギー保存の説明として強い答案になる。

電磁気学の途中式・最終答をPDFで見る

第5問 — 半導体デバイス

方針

半導体デバイスでは、ドリフト、拡散、熱平衡、接合の少数キャリア注入を分けて考える。 式を丸暗記するより、電流密度 Jn=qμnnE+qDndn/dxJ_n=q\mu_n nE+qD_n dn/dx と Einstein関係から導く方が符号を確認しやすい。

検算

E=(kT/q)bE=(kT/q)b は kT/qkT/q が電圧、bb が 1/length1/\mathrm{length} なので電界の単位になる。 注入効率では、NEN_E を大きくすると Dp/(NExE)D_p/(N_Ex_E) が小さくなり γ\gamma は1へ近づく。

典型ミス

npnの通常能動状態で、コレクタ接合を順方向に描くと全体のバンド図が破綻する。 また、注入効率の分子は「エミッタからベースへ注入される電子電流」であり、正孔電流と取り違えない。

半導体デバイスの途中式・最終答をPDFで見る

九大 専門科目 院試 過去問の収録5年度