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静磁場とアンペールの法則ビオ・サバールの法則・ローレンツ力・磁場の求め方

定常電流がつくる磁束密度 B\boldsymbol{B} は、電流要素ごとの寄与を足し合わせるビオ・サバールの法則で求める。閉じた経路に沿った B\boldsymbol{B} の線積分は、経路を貫く電流の μ0\mu_0 倍に等しい(アンペールの法則 ∮B⋅dl=μ0I\oint \boldsymbol{B}\cdot d\boldsymbol{l} = \mu_0 I)。直線電流やソレノイドのように対称性があれば、この式から BB の大きさが直接求まる。磁場から電荷 qq が受ける力はローレンツ力 qv×Bq\boldsymbol{v} \times \boldsymbol{B} である。

電磁気学 の第2単元(全4単元)。先に読む単元:静電場とガウスの法則

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ローレンツ力と電流が受ける力

定義

磁束密度とローレンツ力

速度 v\boldsymbol{v} の電荷 qq が受ける力を

F=q(E+v×B)\boldsymbol{F} = q(\boldsymbol{E} + \boldsymbol{v} \times \boldsymbol{B})

と書いたときの B\boldsymbol{B} を磁束密度という。単位は T=N/(A m)\mathrm{T} = \mathrm{N/(A\,m)}。電流 II の流れる導線の線要素 dld\boldsymbol{l} が受ける力は dF=I dl×Bd\boldsymbol{F} = I\,d\boldsymbol{l} \times \boldsymbol{B} である。磁場の力 qv×Bq\boldsymbol{v} \times \boldsymbol{B} は速度に垂直なので、電荷に仕事をしない。

一様な磁場に垂直に入った荷電粒子は、mv2/r=qvBmv^2/r = qvB から半径 r=mv/(qB)r = mv/(qB) の等速円運動をし、角振動数 ωc=qB/m\omega_c = qB/m(サイクロトロン角振動数)は速さによらない。磁気双極子モーメント m=ISn\boldsymbol{m} = IS\boldsymbol{n}(面積 SS の電流ループ、n\boldsymbol{n} は右ねじの向き)は、一様な磁場からトルク m×B\boldsymbol{m} \times \boldsymbol{B} を受ける。

ビオ・サバールの法則とアンペールの法則

定理・法則

ビオ・サバールの法則

条件

真空中の定常電流(時間変化しない電流)。

主張

dB=μ04πI dl×(r−r′)∣r−r′∣3d\boldsymbol{B} = \frac{\mu_0}{4\pi}\frac{I\,d\boldsymbol{l} \times (\boldsymbol{r} - \boldsymbol{r}')}{|\boldsymbol{r} - \boldsymbol{r}'|^3}

r′\boldsymbol{r}' は電流要素の位置、r\boldsymbol{r} は磁場を求める点。回路全体で積分する。

定理・法則

アンペールの法則

条件

真空中の定常電流で、電流密度が ∇⋅J=0\nabla\cdot\boldsymbol{J} = 0 を満たす。電場が時間変化する場合は変位電流を加える必要がある。

主張

∮CB⋅dl=μ0I貫,∇×B=μ0J\oint_C \boldsymbol{B}\cdot d\boldsymbol{l} = \mu_0 I_{\text{貫}}, \qquad \nabla \times \boldsymbol{B} = \mu_0\boldsymbol{J}

I貫I_{\text{貫}} は閉曲線 CC を縁とする曲面を貫く電流で、向きは CC の向きに対して右ねじの向きを正とする。

要点

ビオ・サバールの法則から導ける。法則自体は任意の閉曲線で成り立つが、BB を求めるのに使えるのは、対称性から経路上で BB が一定で経路に平行と分かる場合に限る。充電中のコンデンサーのように電流が途切れる場合は、マクスウェル方程式の変位電流が必要になる。

定理・法則

磁場のガウスの法則とベクトルポテンシャル

条件

時間変化があっても成り立つ。

主張

∇⋅B=0,B=∇×A\nabla\cdot\boldsymbol{B} = 0, \qquad \boldsymbol{B} = \nabla \times \boldsymbol{A}

要点

磁荷(単極)が見つかっていないことを表す。A\boldsymbol{A} には A+∇χ\boldsymbol{A} + \nabla\chi の任意性(ゲージ)がある。一様な磁場 BezB\boldsymbol{e}_z には A=B2(−y,x,0)\boldsymbol{A} = \frac{B}{2}(-y, x, 0) がとれる。

電流がつくる磁場の公式

無限に長い直線電流
B=μ0I2πrB = \frac{\mu_0 I}{2\pi r}

向きは電流に対して右ねじの回る向き。

半径 aa の円電流の中心
B=μ0I2aB = \frac{\mu_0 I}{2a}
円電流の軸上(中心から zz)
B=μ0Ia22(a2+z2)3/2B = \frac{\mu_0 Ia^2}{2(a^2 + z^2)^{3/2}}
無限に長いソレノイドの内部
B=μ0nIB = \mu_0 nI

nn は単位長さあたりの巻数。外部の磁場は零。

平行な2本の直線電流の間の力(単位長さあたり)
Fl=μ0I1I22πd\frac{F}{l} = \frac{\mu_0 I_1I_2}{2\pi d}

同じ向きの電流は引き合い、逆向きは反発する。

磁場のエネルギー密度
uB=B22μ0u_B = \frac{B^2}{2\mu_0}
真空の透磁率
μ0=1.25663706127×10−6 N/A2≈4π×10−7 N/A2\mu_0 = 1.25663706127 \times 10^{-6}\ \mathrm{N/A^2} \approx 4\pi \times 10^{-7}\ \mathrm{N/A^2}

2019年のSI改定以降は測定値で、4π×10−74\pi \times 10^{-7} との差は相対的に 10−910^{-9} より小さい。

磁場の計算例

計算例

直線電流の磁場を2通りで求める

無限に長い直線電流 II から距離 rr の磁束密度を、アンペールの法則とビオ・サバールの法則で求めよ。

解答

アンペールの法則:導線を中心とする半径 rr の円を経路にとる。対称性から BB は円の接線方向で大きさ一定なので、2πrB=μ0I2\pi rB = \mu_0 I、B=μ0I2πrB = \dfrac{\mu_0 I}{2\pi r}。

ビオ・サバールの法則:導線上の位置 zz の要素の寄与は μ0I4πr dz(r2+z2)3/2\dfrac{\mu_0 I}{4\pi}\dfrac{r\,dz}{(r^2 + z^2)^{3/2}} で、すべて同じ向きなので

B=μ0I4π∫−∞∞r dz(r2+z2)3/2=μ0I2πrB = \frac{\mu_0 I}{4\pi}\int_{-\infty}^{\infty}\frac{r\,dz}{(r^2 + z^2)^{3/2}} = \frac{\mu_0 I}{2\pi r}

検算

2つの方法の結果が一致する。μ0I/r\mu_0 I/r の単位は (N/A2)⋅A/m=N/(A m)=T(\mathrm{N/A^2})\cdot\mathrm{A}/\mathrm{m} = \mathrm{N/(A\,m)} = \mathrm{T}。

計算例

円電流の軸上の磁場

半径 aa の円形の導線に電流 II が流れる。中心軸上で中心から zz の点の磁束密度を求めよ。

解答

各電流要素から点までの距離は a2+z2\sqrt{a^2 + z^2} で、dld\boldsymbol{l} と位置ベクトルは垂直。軸に垂直な成分は対称性で打ち消し、軸方向成分は dB⋅a/a2+z2dB\cdot a/\sqrt{a^2 + z^2}。

B=μ0I4πa(a2+z2)3/2∮dl=μ0Ia22(a2+z2)3/2B = \frac{\mu_0 I}{4\pi}\frac{a}{(a^2 + z^2)^{3/2}}\oint dl = \frac{\mu_0 Ia^2}{2(a^2 + z^2)^{3/2}}

検算

z=0z = 0 で中心の μ0I/(2a)\mu_0 I/(2a)。z≫az \gg a では B≈μ02πmz3B \approx \dfrac{\mu_0}{2\pi}\dfrac{m}{z^3}(m=πa2Im = \pi a^2I)となり、磁気双極子の軸上の磁場に一致する。

計算例

ソレノイドの内部の磁場

単位長さあたり n=1000 m−1n = 1000\ \mathrm{m^{-1}} 巻いた十分長いソレノイドに I=1.0 AI = 1.0\ \mathrm{A} を流す。内部の磁束密度を求めよ。

解答

内部で長さ ll、外部の磁場が零の部分を通る長方形の経路にアンペールの法則を使うと、Bl=μ0nlIBl = \mu_0 nlI。

B=μ0nI=1.2566×10−6×1000×1.0≈1.26×10−3 TB = \mu_0 nI = 1.2566 \times 10^{-6} \times 1000 \times 1.0 \approx 1.26 \times 10^{-3}\ \mathrm{T}

検算

円電流の軸上の式を巻数密度 nn で zz について −∞-\infty から ∞\infty まで積分すると、∫nμ0Ia22(a2+z2)3/2dz=μ0nI\int \frac{n\mu_0 Ia^2}{2(a^2 + z^2)^{3/2}}dz = \mu_0 nI になり一致する。

計算例

平行な直線電流の間の力

距離 d=1.0 md = 1.0\ \mathrm{m} 離れた平行な2本の直線導線に、同じ向きに 1.0 A1.0\ \mathrm{A} ずつ流す。単位長さあたりの力を求めよ。

解答

導線1が導線2の位置につくる磁場は μ0I1/(2πd)\mu_0 I_1/(2\pi d)。導線2の長さ ll が受ける力は I2lBI_2lB なので

Fl=μ0I1I22πd≈4π×10−7×1.0×1.02π×1.0=2.0×10−7 N/m\frac{F}{l} = \frac{\mu_0 I_1I_2}{2\pi d} \approx \frac{4\pi \times 10^{-7} \times 1.0 \times 1.0}{2\pi \times 1.0} = 2.0 \times 10^{-7}\ \mathrm{N/m}

向きは引き合う向きである。

検算

I dl×BI\,d\boldsymbol{l} \times \boldsymbol{B} の向きを右手で確かめると、同じ向きの電流では相手の導線を向く。作用・反作用で、導線1が受ける力は大きさが同じで逆向きになる。

答案でよくある誤り

  1. 1

    有限の長さの直線電流にアンペールの法則を使い、μ0I/(2πr)\mu_0 I/(2\pi r) とする。有限の導線は閉じた回路の一部なので、ビオ・サバールの法則で積分する。

  2. 2

    ソレノイドの nn に全巻数 NN を入れる。nn は単位長さあたりの巻数 N/lN/l で、B=μ0NI/lB = \mu_0 NI/l と書いてもよい。

  3. 3

    磁場の力で荷電粒子の運動エネルギーが変わるとする。qv×Bq\boldsymbol{v} \times \boldsymbol{B} は速度に垂直で仕事をしないので、速さは一定のまま向きだけが変わる。

  4. 4

    アンペールの法則の電流の向きの符号を誤る。経路の向きに右ねじを回したときに進む向きの電流を正とし、逆向きの電流は負で足す。

  5. 5

    外積の順序を逆にして力の向きを誤る。F=qv×B\boldsymbol{F} = q\boldsymbol{v} \times \boldsymbol{B} で、負電荷では向きが反対になる。

電磁気学の前後の単元

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