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科目から解答PDFを探す 磁束密度とローレンツ力 速度 v \boldsymbol{v} v の電荷 q q q が受ける力を
F = q ( E + v × B ) \boldsymbol{F} = q(\boldsymbol{E} + \boldsymbol{v} \times \boldsymbol{B}) F = q ( E + v × B ) と書いたときの B \boldsymbol{B} B を磁束密度という。単位は T = N / ( A m ) \mathrm{T} = \mathrm{N/(A\,m)} T = N/ ( A m ) 。電流 I I I の流れる導線の線要素 d l d\boldsymbol{l} d l が受ける力は d F = I d l × B d\boldsymbol{F} = I\,d\boldsymbol{l} \times \boldsymbol{B} d F = I d l × B である。磁場の力 q v × B q\boldsymbol{v} \times \boldsymbol{B} q v × B は速度に垂直なので、電荷に仕事をしない。
一様な磁場に垂直に入った荷電粒子は、m v 2 / r = q v B mv^2/r = qvB m v 2 / r = q v B から半径 r = m v / ( q B ) r = mv/(qB) r = m v / ( q B ) の等速円運動をし、角振動数 ω c = q B / m \omega_c = qB/m ω c = q B / m (サイクロトロン角振動数)は速さによらない。磁気双極子モーメント m = I S n \boldsymbol{m} = IS\boldsymbol{n} m = I S n (面積 S S S の電流ループ、n \boldsymbol{n} n は右ねじの向き)は、一様な磁場からトルク m × B \boldsymbol{m} \times \boldsymbol{B} m × B を受ける。
ビオ・サバールの法則 主張
d B = μ 0 4 π I d l × ( r − r ′ ) ∣ r − r ′ ∣ 3 d\boldsymbol{B} = \frac{\mu_0}{4\pi}\frac{I\,d\boldsymbol{l} \times (\boldsymbol{r} - \boldsymbol{r}')}{|\boldsymbol{r} - \boldsymbol{r}'|^3} d B = 4 π μ 0 ∣ r − r ′ ∣ 3 I d l × ( r − r ′ ) r ′ \boldsymbol{r}' r ′ は電流要素の位置、r \boldsymbol{r} r は磁場を求める点。回路全体で積分する。
アンペールの法則 条件
真空中の定常電流で、電流密度が ∇ ⋅ J = 0 \nabla\cdot\boldsymbol{J} = 0 ∇ ⋅ J = 0 を満たす。電場が時間変化する場合は変位電流を加える必要がある。
主張
∮ C B ⋅ d l = μ 0 I 貫 , ∇ × B = μ 0 J \oint_C \boldsymbol{B}\cdot d\boldsymbol{l} = \mu_0 I_{\text{貫}}, \qquad \nabla \times \boldsymbol{B} = \mu_0\boldsymbol{J} ∮ C B ⋅ d l = μ 0 I 貫 , ∇ × B = μ 0 J I 貫 I_{\text{貫}} I 貫 は閉曲線 C C C を縁とする曲面を貫く電流で、向きは C C C の向きに対して右ねじの向きを正とする。
要点
ビオ・サバールの法則から導ける。法則自体は任意の閉曲線で成り立つが、B B B を求めるのに使えるのは、対称性から経路上で B B B が一定で経路に平行と分かる場合に限る。充電中のコンデンサーのように電流が途切れる場合は、マクスウェル方程式 の変位電流が必要になる。
磁場のガウスの法則とベクトルポテンシャル 主張
∇ ⋅ B = 0 , B = ∇ × A \nabla\cdot\boldsymbol{B} = 0, \qquad \boldsymbol{B} = \nabla \times \boldsymbol{A} ∇ ⋅ B = 0 , B = ∇ × A 要点
磁荷(単極)が見つかっていないことを表す。A \boldsymbol{A} A には A + ∇ χ \boldsymbol{A} + \nabla\chi A + ∇ χ の任意性(ゲージ)がある。一様な磁場 B e z B\boldsymbol{e}_z B e z には A = B 2 ( − y , x , 0 ) \boldsymbol{A} = \frac{B}{2}(-y, x, 0) A = 2 B ( − y , x , 0 ) がとれる。
無限に長い直線電流 B = μ 0 I 2 π r B = \frac{\mu_0 I}{2\pi r} B = 2 π r μ 0 I 半径 a a a の円電流の中心 B = μ 0 I 2 a B = \frac{\mu_0 I}{2a} B = 2 a μ 0 I 円電流の軸上(中心から z z z ) B = μ 0 I a 2 2 ( a 2 + z 2 ) 3 / 2 B = \frac{\mu_0 Ia^2}{2(a^2 + z^2)^{3/2}} B = 2 ( a 2 + z 2 ) 3/2 μ 0 I a 2 無限に長いソレノイドの内部 B = μ 0 n I B = \mu_0 nI B = μ 0 n I 平行な2本の直線電流の間の力(単位長さあたり) F l = μ 0 I 1 I 2 2 π d \frac{F}{l} = \frac{\mu_0 I_1I_2}{2\pi d} l F = 2 π d μ 0 I 1 I 2 磁場のエネルギー密度 u B = B 2 2 μ 0 u_B = \frac{B^2}{2\mu_0} u B = 2 μ 0 B 2 真空の透磁率 μ 0 = 1.25663706127 × 10 − 6 N / A 2 ≈ 4 π × 10 − 7 N / A 2 \mu_0 = 1.25663706127 \times 10^{-6}\ \mathrm{N/A^2} \approx 4\pi \times 10^{-7}\ \mathrm{N/A^2} μ 0 = 1.25663706127 × 1 0 − 6 N/ A 2 ≈ 4 π × 1 0 − 7 N/ A 2 2019年のSI改定以降は測定値で、4 π × 10 − 7 4\pi \times 10^{-7} 4 π × 1 0 − 7 との差は相対的に 10 − 9 10^{-9} 1 0 − 9 より小さい。
直線電流の磁場を2通りで求める 無限に長い直線電流 I I I から距離 r r r の磁束密度を、アンペールの法則とビオ・サバールの法則で求めよ。
解答
アンペールの法則:導線を中心とする半径 r r r の円を経路にとる。対称性から B B B は円の接線方向で大きさ一定なので、2 π r B = μ 0 I 2\pi rB = \mu_0 I 2 π r B = μ 0 I 、B = μ 0 I 2 π r B = \dfrac{\mu_0 I}{2\pi r} B = 2 π r μ 0 I 。
ビオ・サバールの法則:導線上の位置 z z z の要素の寄与は μ 0 I 4 π r d z ( r 2 + z 2 ) 3 / 2 \dfrac{\mu_0 I}{4\pi}\dfrac{r\,dz}{(r^2 + z^2)^{3/2}} 4 π μ 0 I ( r 2 + z 2 ) 3/2 r d z で、すべて同じ向きなので
B = μ 0 I 4 π ∫ − ∞ ∞ r d z ( r 2 + z 2 ) 3 / 2 = μ 0 I 2 π r B = \frac{\mu_0 I}{4\pi}\int_{-\infty}^{\infty}\frac{r\,dz}{(r^2 + z^2)^{3/2}} = \frac{\mu_0 I}{2\pi r} B = 4 π μ 0 I ∫ − ∞ ∞ ( r 2 + z 2 ) 3/2 r d z = 2 π r μ 0 I 検算
2つの方法の結果が一致する。μ 0 I / r \mu_0 I/r μ 0 I / r の単位は ( N / A 2 ) ⋅ A / m = N / ( A m ) = T (\mathrm{N/A^2})\cdot\mathrm{A}/\mathrm{m} = \mathrm{N/(A\,m)} = \mathrm{T} ( N/ A 2 ) ⋅ A / m = N/ ( A m ) = T 。
円電流の軸上の磁場 半径 a a a の円形の導線に電流 I I I が流れる。中心軸上で中心から z z z の点の磁束密度を求めよ。
解答
各電流要素から点までの距離は a 2 + z 2 \sqrt{a^2 + z^2} a 2 + z 2 で、d l d\boldsymbol{l} d l と位置ベクトルは垂直。軸に垂直な成分は対称性で打ち消し、軸方向成分は d B ⋅ a / a 2 + z 2 dB\cdot a/\sqrt{a^2 + z^2} d B ⋅ a / a 2 + z 2 。
B = μ 0 I 4 π a ( a 2 + z 2 ) 3 / 2 ∮ d l = μ 0 I a 2 2 ( a 2 + z 2 ) 3 / 2 B = \frac{\mu_0 I}{4\pi}\frac{a}{(a^2 + z^2)^{3/2}}\oint dl = \frac{\mu_0 Ia^2}{2(a^2 + z^2)^{3/2}} B = 4 π μ 0 I ( a 2 + z 2 ) 3/2 a ∮ d l = 2 ( a 2 + z 2 ) 3/2 μ 0 I a 2 検算
z = 0 z = 0 z = 0 で中心の μ 0 I / ( 2 a ) \mu_0 I/(2a) μ 0 I / ( 2 a ) 。z ≫ a z \gg a z ≫ a では B ≈ μ 0 2 π m z 3 B \approx \dfrac{\mu_0}{2\pi}\dfrac{m}{z^3} B ≈ 2 π μ 0 z 3 m (m = π a 2 I m = \pi a^2I m = π a 2 I )となり、磁気双極子の軸上の磁場に一致する。
ソレノイドの内部の磁場 単位長さあたり n = 1000 m − 1 n = 1000\ \mathrm{m^{-1}} n = 1000 m − 1 巻いた十分長いソレノイドに I = 1.0 A I = 1.0\ \mathrm{A} I = 1.0 A を流す。内部の磁束密度を求めよ。
解答
内部で長さ l l l 、外部の磁場が零の部分を通る長方形の経路にアンペールの法則を使うと、B l = μ 0 n l I Bl = \mu_0 nlI B l = μ 0 n l I 。
B = μ 0 n I = 1.2566 × 10 − 6 × 1000 × 1.0 ≈ 1.26 × 10 − 3 T B = \mu_0 nI = 1.2566 \times 10^{-6} \times 1000 \times 1.0 \approx 1.26 \times 10^{-3}\ \mathrm{T} B = μ 0 n I = 1.2566 × 1 0 − 6 × 1000 × 1.0 ≈ 1.26 × 1 0 − 3 T 検算
円電流の軸上の式を巻数密度 n n n で z z z について − ∞ -\infty − ∞ から ∞ \infty ∞ まで積分すると、∫ n μ 0 I a 2 2 ( a 2 + z 2 ) 3 / 2 d z = μ 0 n I \int \frac{n\mu_0 Ia^2}{2(a^2 + z^2)^{3/2}}dz = \mu_0 nI ∫ 2 ( a 2 + z 2 ) 3/2 n μ 0 I a 2 d z = μ 0 n I になり一致する。
平行な直線電流の間の力 距離 d = 1.0 m d = 1.0\ \mathrm{m} d = 1.0 m 離れた平行な2本の直線導線に、同じ向きに 1.0 A 1.0\ \mathrm{A} 1.0 A ずつ流す。単位長さあたりの力を求めよ。
解答
導線1が導線2の位置につくる磁場は μ 0 I 1 / ( 2 π d ) \mu_0 I_1/(2\pi d) μ 0 I 1 / ( 2 π d ) 。導線2の長さ l l l が受ける力は I 2 l B I_2lB I 2 l B なので
F l = μ 0 I 1 I 2 2 π d ≈ 4 π × 10 − 7 × 1.0 × 1.0 2 π × 1.0 = 2.0 × 10 − 7 N / m \frac{F}{l} = \frac{\mu_0 I_1I_2}{2\pi d} \approx \frac{4\pi \times 10^{-7} \times 1.0 \times 1.0}{2\pi \times 1.0} = 2.0 \times 10^{-7}\ \mathrm{N/m} l F = 2 π d μ 0 I 1 I 2 ≈ 2 π × 1.0 4 π × 1 0 − 7 × 1.0 × 1.0 = 2.0 × 1 0 − 7 N/m 向きは引き合う向きである。
検算
I d l × B I\,d\boldsymbol{l} \times \boldsymbol{B} I d l × B の向きを右手で確かめると、同じ向きの電流では相手の導線を向く。作用・反作用で、導線1が受ける力は大きさが同じで逆向きになる。
有限の長さの直線電流にアンペールの法則を使い、μ 0 I / ( 2 π r ) \mu_0 I/(2\pi r) μ 0 I / ( 2 π r ) とする。有限の導線は閉じた回路の一部なので、ビオ・サバールの法則で積分する。
ソレノイドの n n n に全巻数 N N N を入れる。n n n は単位長さあたりの巻数 N / l N/l N / l で、B = μ 0 N I / l B = \mu_0 NI/l B = μ 0 N I / l と書いてもよい。
磁場の力で荷電粒子の運動エネルギーが変わるとする。q v × B q\boldsymbol{v} \times \boldsymbol{B} q v × B は速度に垂直で仕事をしないので、速さは一定のまま向きだけが変わる。
アンペールの法則の電流の向きの符号を誤る。経路の向きに右ねじを回したときに進む向きの電流を正とし、逆向きの電流は負で足す。
外積の順序を逆にして力の向きを誤る。F = q v × B \boldsymbol{F} = q\boldsymbol{v} \times \boldsymbol{B} F = q v × B で、負電荷では向きが反対になる。
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