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配位化合物d電子数・異性体・結晶場分裂・スピン状態

配位化合物の性質は、中心金属のd電子数と配位子の場による d 軌道の分裂で決まる。八面体錯体では d 軌道が低い t2gt_{2g}(3つ)と高い ege_g(2つ)に Δo\Delta_\mathrm{o} だけ分かれ、Δo\Delta_\mathrm{o} が電子対形成エネルギー PP より大きいと低スピン、小さいと高スピンになる。d4d^4 から d7d^7 の八面体錯体では、この大小で不対電子の数と磁気モーメント μ=n(n+2) μB\mu = \sqrt{n(n+2)}\,\mu_\mathrm{B} が変わる。

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配位子・配位数・d電子数

定義

配位化合物と配位子

中心の金属原子・イオンに、非共有電子対をもつ分子やイオン(配位子)が配位結合したものを錯体という。中心金属に直接結合する原子の数を配位数という。1つの配位子が2か所以上で結合するものを多座配位子といい、エチレンジアミン H2NCH2CH2NH2\mathrm{H_2NCH_2CH_2NH_2}(en、二座)やエチレンジアミン四酢酸イオン(edta4−\mathrm{edta^{4-}}、六座)がある。多座配位子が環をつくって結合することをキレートという。

定義

酸化数とd電子数

中心金属の酸化数は、錯体全体の電荷から配位子の電荷を引いて求める。d電子数は、族番号(3〜12族)から酸化数を引いた値である。遷移金属の陽イオンでは 4s 電子が先に抜けるので、Fe2+\mathrm{Fe^{2+}} は [Ar]3d6[\mathrm{Ar}]3d^6、Cu2+\mathrm{Cu^{2+}} は [Ar]3d9[\mathrm{Ar}]3d^9 になる。

計算例

酸化数とd電子数を数える

[Fe(CN)6]4−[\mathrm{Fe(CN)_6}]^{4-}、[Co(NH3)6]3+[\mathrm{Co(NH_3)_6}]^{3+}、[Cu(NH3)4]2+[\mathrm{Cu(NH_3)_4}]^{2+}、[Ni(CO)4][\mathrm{Ni(CO)_4}] の中心金属の酸化数とd電子数を求めよ。

解答

CN−\mathrm{CN^-} は −1-1、NH3\mathrm{NH_3} と CO\mathrm{CO} は中性。

  • [Fe(CN)6]4−[\mathrm{Fe(CN)_6}]^{4-}:x−6=−4x - 6 = -4 で Fe(II)\mathrm{Fe(II)}、8−2=68 - 2 = 6 から d6d^6。
  • [Co(NH3)6]3+[\mathrm{Co(NH_3)_6}]^{3+}:Co(III)\mathrm{Co(III)}、9−3=69 - 3 = 6 から d6d^6。
  • [Cu(NH3)4]2+[\mathrm{Cu(NH_3)_4}]^{2+}:Cu(II)\mathrm{Cu(II)}、11−2=911 - 2 = 9 から d9d^9。
  • [Ni(CO)4][\mathrm{Ni(CO)_4}]:Ni(0)\mathrm{Ni(0)}、d10d^{10}。

検算

18電子則でも確かめられる。[Ni(CO)4][\mathrm{Ni(CO)_4}] は d 電子10個と、配位子4つから2個ずつの8個で18個。[Fe(CN)6]4−[\mathrm{Fe(CN)_6}]^{4-} も 6+12=186 + 12 = 18 個になる。

錯体の形と異性体の数え方

配位数6の錯体はほとんどが八面体、配位数4では四面体と平面四角形がある。d8d^8 の Pt(II)\mathrm{Pt(II)}、Pd(II)\mathrm{Pd(II)}、[Ni(CN)4]2−[\mathrm{Ni(CN)_4}]^{2-} は平面四角形をとり、平面四角形の [Pt(NH3)2Cl2][\mathrm{Pt(NH_3)_2Cl_2}] にはシス形とトランス形がある。四面体の MA2B2\mathrm{MA_2B_2} には幾何異性体がない。

異性体は、配位子の並べ方のうち、回転で重ねられるものを同じと数える。回転では重ならず鏡像の関係にあるものは光学異性体(鏡像異性体)である。

八面体錯体の立体異性体の数(A, B は単座、AA は二座配位子)

mathrmMA4B2mathrm{MA_4B_2}
2 (シス, トランス)2\ (\text{シス},\ \text{トランス})

どちらも鏡面をもち、光学異性体はない。

mathrmMA3B3mathrm{MA_3B_3}
2 (fac, mer)2\ (fac,\ mer)
mathrmM(AA)2B2mathrm{M(AA)_2B_2}
3 (トランス, シス形の鏡像異性体の組)3\ (\text{トランス},\ \text{シス形の鏡像異性体の組})

例:[Co(en)2Cl2]+[\mathrm{Co(en)_2Cl_2}]^+。

mathrmM(AA)3mathrm{M(AA)_3}
2 (Δ, Λ)2\ (\Delta,\ \Lambda)

例:[Co(en)3]3+[\mathrm{Co(en)_3}]^{3+}。プロペラ状の巻き方が異なる鏡像異性体。

結晶場分裂と高スピン・低スピン

定理・法則

八面体場と四面体場での d 軌道の分裂

条件

配位子を点電荷とみなす結晶場モデル。分裂した軌道のエネルギーの重み付き平均(重心)は、分裂前と変わらないとする。

主張

八面体場では、配位子の方向を向く dx2−y2,dz2d_{x^2-y^2}, d_{z^2}(ege_g)が上がり、軸の間を向く dxy,dyz,dzxd_{xy}, d_{yz}, d_{zx}(t2gt_{2g})が下がる。

E(t2g)=−0.4Δo,E(eg)=+0.6ΔoE(t_{2g}) = -0.4\Delta_\mathrm{o}, \qquad E(e_g) = +0.6\Delta_\mathrm{o}

四面体場では逆に ee が下がり t2t_2 が上がって E(e)=−0.6ΔtE(e) = -0.6\Delta_\mathrm{t}、E(t2)=+0.4ΔtE(t_2) = +0.4\Delta_\mathrm{t}。同じ金属・配位子・距離では Δt≈49Δo\Delta_\mathrm{t} \approx \tfrac{4}{9}\Delta_\mathrm{o}。

要点

重心の条件 3E(t2g)+2E(eg)=03E(t_{2g}) + 2E(e_g) = 0 と E(eg)−E(t2g)=ΔoE(e_g) - E(t_{2g}) = \Delta_\mathrm{o} から係数が決まる。Δt\Delta_\mathrm{t} が小さいので、四面体錯体はほとんどが高スピンである。

定理・法則

高スピンと低スピンの判定

条件

八面体錯体で d 電子数が4〜7のとき。d1d^1〜d3d^3 と d8d^8〜d10d^{10} では電子配置は1通りに決まる。PP は電子1対を同じ軌道に入れるのに要するエネルギー。

主張

Δo<P\Delta_\mathrm{o} < P なら電子は ege_g にも1個ずつ入る高スピン配置、Δo>P\Delta_\mathrm{o} > P なら t2gt_{2g} を先に埋める低スピン配置になる。Δo\Delta_\mathrm{o} は配位子の種類で変わり、分光化学系列

I−<Br−<Cl−<F−<OH−<H2O<NH3<en<NO2−<CN−<CO\mathrm{I^- < Br^- < Cl^- < F^- < OH^- < H_2O < NH_3 < en < NO_2^- < CN^- < CO}

の右ほど大きい。同じ配位子なら、金属の酸化数が高いほど、また 3d より 4d・5d の金属ほど Δo\Delta_\mathrm{o} が大きい。

要点

CN−\mathrm{CN^-} や CO\mathrm{CO} は金属から配位子の空の π* 軌道への逆供与(π 受容)で Δo\Delta_\mathrm{o} を大きくする。電荷の大きさの順にはならず、陰イオンの F−\mathrm{F^-} は中性の H2O\mathrm{H_2O} より場が弱い。4d・5d の錯体はほとんどが低スピンである。

結晶場安定化エネルギーと磁気モーメント

八面体の結晶場安定化エネルギー
CFSE=(−0.4 nt2g+0.6 neg)Δo+mP\mathrm{CFSE} = \left(-0.4\,n_{t_{2g}} + 0.6\,n_{e_g}\right)\Delta_\mathrm{o} + mP

nn は各軌道の電子数。mm は、球対称の場での配置(フントの規則に従う配置)と比べて増えた電子対の数。

スピンのみの磁気モーメント
μeff=n(n+2) μB\mu_\mathrm{eff} = \sqrt{n(n+2)}\ \mu_\mathrm{B}

nn は不対電子の数。軌道角運動量の寄与を無視した近似で、3d 金属の錯体でよく合う。

吸収波長と分裂幅
Δo=hcλ,ν~=1λ\Delta_\mathrm{o} = \frac{hc}{\lambda}, \qquad \tilde\nu = \frac{1}{\lambda}

d1d^1 錯体の t2g→egt_{2g} \to e_g 遷移のように、1つの吸収帯が分裂幅に直接対応する場合。

定理・法則

ヤーン・テラー効果

条件

非直線形の分子・錯体で、電子の基底状態が軌道について縮重している場合。

主張

構造がひずんで縮重が解け、エネルギーが下がる。八面体錯体では ege_g の電子配置が縮重する d9d^9、高スピン d4d^4、低スピン d7d^7 で大きく現れ、多くはz軸方向の2本の結合が伸びる。

要点

Cu(II)\mathrm{Cu(II)}(d9d^9)の6配位錯体が軸方向に伸びた形をとるのはこの効果による。t2gt_{2g} だけが縮重する配置でもひずみは生じうるが、小さい。

スピン状態と分裂幅の計算例

計算例

鉄(II)錯体の高スピンと低スピン

[Fe(H2O)6]2+[\mathrm{Fe(H_2O)_6}]^{2+}(高スピン)と [Fe(CN)6]4−[\mathrm{Fe(CN)_6}]^{4-}(低スピン)について、電子配置、不対電子の数、スピンのみの磁気モーメント、CFSE を求めよ。

解答

どちらも Fe(II)\mathrm{Fe(II)}、d6d^6。

高スピン:t2g4eg2t_{2g}^4 e_g^2、不対電子4個、μ=4⋅6=4.90 μB\mu = \sqrt{4 \cdot 6} = 4.90\ \mu_\mathrm{B}。CFSE は (−0.4×4+0.6×2)Δo=−0.4Δo(-0.4 \times 4 + 0.6 \times 2)\Delta_\mathrm{o} = -0.4\Delta_\mathrm{o}。

低スピン:t2g6t_{2g}^6、不対電子0個で反磁性、μ=0\mu = 0。CFSE は −0.4×6 Δo+2P=−2.4Δo+2P-0.4 \times 6\,\Delta_\mathrm{o} + 2P = -2.4\Delta_\mathrm{o} + 2P。球対称の場での d6d^6 は電子対が1つなので、低スピンでは電子対が2つ増える。

検算

低スピンが安定になる条件は −2.4Δo+2P<−0.4Δo-2.4\Delta_\mathrm{o} + 2P < -0.4\Delta_\mathrm{o}、すなわち Δo>P\Delta_\mathrm{o} > P で、判定の定理と一致する。CN−\mathrm{CN^-} は分光化学系列で H2O\mathrm{H_2O} より右にあり、Δo\Delta_\mathrm{o} が大きい側にある。

計算例

吸収極大から分裂幅を求める

ある八面体の d1d^1 錯体が 500 nm500\ \mathrm{nm} に吸収極大をもつ。これを t2g→egt_{2g} \to e_g 遷移として、Δo\Delta_\mathrm{o} を波数(cm−1\mathrm{cm^{-1}})と kJ mol−1\mathrm{kJ\,mol^{-1}} で求めよ。

解答

ν~=1/(500×10−7 cm)=2.00×104 cm−1\tilde\nu = 1/(500\times10^{-7}\ \mathrm{cm}) = 2.00 \times 10^{4}\ \mathrm{cm^{-1}}。1 mol あたりのエネルギーは

NAhcλ=6.022×1023×6.626×10−34×2.998×108500×10−9=2.39×105 J mol−1N_\mathrm{A}\frac{hc}{\lambda} = \frac{6.022\times10^{23} \times 6.626\times10^{-34} \times 2.998\times10^{8}}{500\times10^{-9}} = 2.39\times10^{5}\ \mathrm{J\,mol^{-1}}

Δo≈239 kJ mol−1\Delta_\mathrm{o} \approx 239\ \mathrm{kJ\,mol^{-1}}。

検算

換算係数 1 cm−1=0.01196 kJ mol−11\ \mathrm{cm^{-1}} = 0.01196\ \mathrm{kJ\,mol^{-1}} を使うと 20000×0.01196=239 kJ mol−120000 \times 0.01196 = 239\ \mathrm{kJ\,mol^{-1}} で一致する。波長が短いほど Δo\Delta_\mathrm{o} は大きく、波長に反比例する。

計算例

スピンのみの磁気モーメントから d 電子配置を決める

Mn(II)\mathrm{Mn(II)} の八面体錯体の磁気モーメントが 5.9 μB5.9\ \mu_\mathrm{B} だった。高スピンか低スピンかを答えよ。

解答

Mn(II)\mathrm{Mn(II)} は d5d^5。高スピン t2g3eg2t_{2g}^3e_g^2 なら不対電子5個で 35=5.92 μB\sqrt{35} = 5.92\ \mu_\mathrm{B}、低スピン t2g5t_{2g}^5 なら1個で 3=1.73 μB\sqrt{3} = 1.73\ \mu_\mathrm{B}。測定値に合うのは高スピンである。

検算

n=1,…,5n = 1, \dots, 5 の値は 1.73,2.83,3.87,4.90,5.92 μB1.73, 2.83, 3.87, 4.90, 5.92\ \mu_\mathrm{B} で、どの nn とも区別できる。高スピン d5d^5 は ege_g と t2gt_{2g} に1個ずつ入るので、CFSE は (−0.4×3+0.6×2)Δo=0(-0.4\times3 + 0.6\times2)\Delta_\mathrm{o} = 0 になる。

答案でよくある誤り

  1. 1

    陽イオンのd電子数を、中性原子の電子配置から 3d 電子を抜いて数える。遷移金属の陽イオンでは 4s 電子が先に抜け、Fe3+\mathrm{Fe^{3+}} は 3d53d^5 である。

  2. 2

    d3d^3 や d8d^8 の八面体錯体にも高スピン・低スピンの区別をつける。区別があるのは d4d^4〜d7d^7 だけである。

  3. 3

    分光化学系列を配位子の電荷の大きさで判断する。F−\mathrm{F^-} や Cl−\mathrm{Cl^-} は中性の H2O\mathrm{H_2O}、NH3\mathrm{NH_3} より場が弱く、π 受容性の CN−\mathrm{CN^-}、CO\mathrm{CO} が最も強い。

  4. 4

    四面体錯体の分裂を八面体と同じ向きに書く。四面体では ee が下、t2t_2 が上で、Δt\Delta_\mathrm{t} は Δo\Delta_\mathrm{o} の約 4/94/9 と小さい。

  5. 5

    M(AA)2B2\mathrm{M(AA)_2B_2} のシス形を1種類と数える。シス形は鏡像と重ならないので、トランス形と合わせて立体異性体は3種類になる。

無機化学の前後の単元

このページの本文を数式のLaTeXのまま読むには Markdown版。最終更新 2026-11-16。誤りに気づいたら 運営者 へ連絡してほしい。

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